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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 8.45 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 460 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16 A | 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SPP11N80C3 | INFINEON |
类似代替  |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP08N80C3 | INFINEON |
类似代替 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPA04N80C3 | INFINEON |
类似代替 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP16N50C3_07 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated |
|
| SPP16N50C3_09 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated |
|
| SPP16N50C3HKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPP17N80C2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPP17N80C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPP17N80C3_07 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS(on) in TO 220 Ultra low gate |
|
| SPP17N80C3_08 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
|
| SPP18P06P | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
|
| SPP18P06P H | INFINEON |
获取价格 |
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
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| SPP18P06P_09 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel E |
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