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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.64 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 230 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP15P10PLHXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SPP16N50C3 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPP16N50C3_07 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated |
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| SPP16N50C3_09 | INFINEON |
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New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated |
|
| SPP16N50C3HKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPP17N80C2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPP17N80C3 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP17N80C3_07 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS(on) in TO 220 Ultra low gate |
|
| SPP17N80C3_08 | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
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| SPP18P06P | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
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