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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 230 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP15P10PH | INFINEON |
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暂无描述 |
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| SPP15P10PHXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SPP15P10PL H | INFINEON |
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Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
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| SPP15P10PLG | INFINEON |
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SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel E |
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| SPP15P10PLGHKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SPP15P10PLH | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SPP15P10PLHXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SPP16N50C3 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPP16N50C3_07 | INFINEON |
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New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated |
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| SPP16N50C3_09 | INFINEON |
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New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated |
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