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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 625 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 625 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 350 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 100 ns | VCEsat-Max： | 4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKM100GAL122D | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| SKM100GAL123D | SEMIKRON |
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SEMITRANS IGBT Modules New Range |
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| SKM100GAL12F4 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules SEMITRANS 2 (94x34x30) |
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| SKM100GAL12T4 | SEMIKRON |
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Fast IGBT4 Modules |
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| SKM100GAL163D | SEMIKRON |
获取价格 |
SEMITRANS IGBT Modules New Range |
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| SKM100GAL173D | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, CASE D61, 7 PIN |
|
| SKM100GAL17E4 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules SEMITRANS 2 (94x34x30) |
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| SKM100GAR123D | SEMIKRON |
获取价格 |
SEMITRANS IGBT Modules New Range |
|
| SKM100GAR12F4 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules SEMITRANS 2 (94x34x30) |
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| SKM100GAR163D | SEMIKRON |
获取价格 |
SEMITRANS IGBT Modules New Range |
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