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SKCD 31 C 120 I4F

更新时间： 2024-11-15 14:51:07

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		/
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Chips

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SKCD 31 C 120 I4F 数据手册

SKCD 31 C 120 I4F

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

T_j= 25 °C, I_R= 0.06 mA

T_c= 80 °C, T_j= 175 °C, F_i=PI/2

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

1200

270

175

°C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

10 ms

sin 180°

T_jmax

Electrical Characteristics

Symbol Conditions

CAL-DIODE

min.

typ.

max.

Unit

I_F= 50 A

V_RRM= 1200 V

Size: 5,60 mm x 5,60 mm

T_j= 150 °C, sin 180°, 10 ms

T_j= 25 °C, V_RRM= 1200 V

i²t

I_R

365

0.06

8.80

2.54

2.50

2.34

1.10

27.90

0.98

27.30

A²s

m

T_j= 150 °C, V_RRM= 1200 V

T_j= 25 °C, I_F= 50 A

T_j= 150 °C, I_F= 50 A

T_j= 175 °C, I_F= 50 A

T_j= 150 °C

T_j= 175 °C

4.40

2.22

2.18

2.03

0.90

25.6

0.82

24.20

V_F

V_(TO)

r_T

V_(TO)

r_T

SKCD 31 C 120 I4F

Features

m

ꢀ max. junction 175 °C

Dynamic Characteristics

Symbol Conditions

ꢀ very low forward voltage drop

ꢀ positive temperature coefficient

ꢀ extreme soft recovery

min.

typ.

max.

Unit

T_j= 150 °C, 50 A, 600 V, 1000 A/µs

t_rr

E_rr

I_rrm

0.53

2.6

µs

Typical Applications*

ꢀ freewheeling diode for IGBT

Thermal Characteristics

Symbol Conditions

typ.

max.

Unit

T_j

T_stg

T_solder

R_th(j-c)

-40

175

250

320

°C

K/W

10 min.

5 min.

Semitrans Assembly

1.00

Mechanical Characteristics

Symbol Conditions

Values

Unit

Raster

size

Area total

5.60 x 5.60

mm²

Anode

Metallization

bondable (Al)

Cathode

Wire bond

Package

solderable (Ag/Ni)

Al, typ. diameter = 300 µm

wafer frame

Chips /

Package

470

pcs

SKCD

Rev. 0 – 16.03.2011

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