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SKCD 46 C 120 I4F R

更新时间： 2024-11-15 14:54:31

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SKCD 46 C 120 I4F R 数据手册

SKCD 46 C 120 I4F R

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

T_j= 25 °C, I_R= 0.12 mA

T_c= 80 °C, T_j= 175 °C, F_i=PI/2

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

1200

430

175

°C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

10 ms

sin 180°

T_jmax

Electrical Characteristics

Symbol Conditions

CAL-DIODE

min.

typ.

max.

Unit

I_F= 75 A

V_RRM= 1200 V

Size: 9,12 mm x 5,10 mm

T_j= 150 °C, sin 180°, 10 ms

T_j= 25 °C, V_RRM= 1200 V

i²t

I_R

925

0.12

14.00

2.49

2.42

2.27

1.10

17.70

0.98

17.30

A²s

m

T_j= 150 °C, V_RRM= 1200 V

T_j= 25 °C, I_F= 75 A

T_j= 150 °C, I_F= 75 A

T_j= 175 °C, I_F= 75 A

T_j= 150 °C

T_j= 175 °C

7.00

2.17

2.11

1.96

0.90

16.1

0.82

15.20

V_F

SKCD 46 C 120 I4F R

V_(TO)

r_T

V_(TO)

r_T

Features

ꢀ max. junction 175 °C

m

ꢀ very low forward voltage drop

ꢀ positive temperature coefficient

ꢀ extreme soft recovery

Dynamic Characteristics

Symbol Conditions

min.

typ.

max.

Unit

Typical Applications*

ꢀ freewheeling diode for IGBT

T_j= 150 °C, 75 A, 600 V, 1500 A/µs

t_rr

0.5

4.2

µs

T_j= 150 °C, 75 A, 600 V, 1500 A/µs

E_rr

I_rrm

Thermal Characteristics

Symbol Conditions

typ.

max.

Unit

T_j

T_stg

T_solder

R_th(j-c)

-40

175

250

320

°C

K/W

10 min.

5 min.

Semitrans Assembly

0.66

Mechanical Characteristics

Symbol Conditions

Values

Unit

Raster

size

Area total

9,12 x 5,10

mm²

Anode

Metallization

bondable (Al)

Cathode

Wire bond

Package

solderable (Ag/Ni)

Al, typ. diameter = 300 µm

wafer frame

Chips /

Package

308

pcs

SKCD

Rev. 0 – 16.03.2011

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