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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, S-XUUC-N4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.18 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 70 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | S-XUUC-N4 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 160 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 55 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC42T60SNC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC42T60UN | INFINEON |
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High Speed IGBT Chip in NPT-technology positive temperature coefficient easy paralleling |
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| SIGC54T60R3 | INFINEON |
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IGBT-3 Chip |
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| SIGC54T60R3_05 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC54T60R3E | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC54T65R3E | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP™ IGBT 结合独特 TRENCHSTOP™ 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC57T120R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
|
| SIGC57T120R3E | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
|
| SIGC57T120R3L | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
|
| SIGC57T120R3LE | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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