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SIGC68T170R3EX1SA3

更新时间： 2024-10-26 19:57:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
5页	110K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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SIGC68T170R3EX1SA3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.62
Base Number Matches：	1

SIGC68T170R3EX1SA3 数据手册

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SIGC68T170R3E

IGBT3 Power Chip

Features:

This chip is used for:

power modules

•

1700V Trench & Field Stop technology

low turn-off losses

•

short tail current

positive temperature coefficient

easy paralleling

Applications:

•

drives

Chip Type

V_CE

I_C

Die Size

8.23 x 8.25 mm²

Package

SIGC68T170R3E 1700V 50A

sawn on foil

Mechanical Parameters

Raster size

8.23 x 8.25

Emitter pad size (incl. gate pad)

Gate pad size

4 x ( 2.94 x 2.97 )

mm²

1.18 x 1.09

67.9

Area total

Thickness

190

µm

Wafer size

200

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

392

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

0.65mm ; max 1.2mm

Store in original container, in dry nitrogen, in dark

Recommended storage environment

environment, < 6 month at an ambient temperature of 23°C

Edited by INFINEON Technologies, IMM PSD, L7761T, Edition 2.1, 14.04.2010

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