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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, S-XUUC-N4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | S-XUUC-N4 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 460 ns | 标称接通时间 (ton)： | 95 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC42T60UN | INFINEON |
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High Speed IGBT Chip in NPT-technology positive temperature coefficient easy paralleling |
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| SIGC54T60R3 | INFINEON |
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IGBT-3 Chip |
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| SIGC54T60R3_05 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC54T60R3E | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC54T65R3E | INFINEON |
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TRENCHSTOP™ IGBT 结合独特 TRENCHSTOP™ 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC57T120R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC57T120R3E | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC57T120R3L | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC57T120R3LE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| SIGC57T120R3LEX1SA3 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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