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SIGC81T60SNC

更新时间: 2024-10-26 06:11:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 79K
描述
IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technology positive temperature coefficient

SIGC81T60SNC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIE
包装说明:UNCASED CHIP, S-XUUC-N10针数:10
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.66
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):100 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE
门极发射器阈值电压最大值:5 V门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:S-XUUC-N10元件数量:1
端子数量:10最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:SQUARE
封装形式:UNCASED CHIP峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):540 ns
标称接通时间 (ton):115 nsBase Number Matches:1

SIGC81T60SNC 数据手册

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SIGC81T60SNC  
IGBT Chip in NPT-technology  
C
FEATURES:  
This chip is used for:  
IGBT-Modules  
·
·
·
·
·
600V NPT technology  
100µm chip  
short circuit prove  
positive temperature coefficient  
easy paralleling  
·
Applications:  
drives  
G
E
·
Chip Type  
VCE  
ICn  
Die Size  
Package  
Ordering Code  
Q67050-A4164-  
A003  
SIGC81T60SNC  
600V 100A  
8.99 x 8.99 mm2  
sawn on foil  
MECHANICAL PARAMETER:  
mm2  
Raster size  
8.99 x 8.99  
80.82 / 72.6  
8x( 1.77x2.82 )  
0.78 x 1.51  
100  
Area total / active  
Emitter pad size  
Gate pad size  
Thickness  
µm  
mm  
deg  
Wafer size  
150  
Flat position  
90  
Max.possible chips per wafer  
Passivation frontside  
Emitter metallization  
169  
Photoimide  
3200 nm Al Si 1%  
1400 nm Ni Ag –system  
suitable for epoxy and soft solder die bonding  
Collector metallization  
Die bond  
electrically conductive glue or solder  
Wire bond  
Al, £500µm  
Reject Ink Dot Size  
Æ 0.65mm ; max 1.2mm  
store in original container, in dry nitrogen,  
< 6 month at an ambient temperature of 23°C  
Recommended Storage Environment  
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7462-S, Edition 2, 28.11.2003  

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