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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.27 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC54T65R3E | INFINEON |
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TRENCHSTOP™ IGBT 结合独特 TRENCHSTOP™ 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC57T120R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC57T120R3E | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC57T120R3L | INFINEON |
获取价格 |
IGBT3 Chip |
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| SIGC57T120R3LE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| SIGC57T120R3LEX1SA3 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| SIGC57T120R3LEX1SA5 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| SIGC57T170C | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| SIGC61T60NC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC68T170R3 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT3 Chip |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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