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SIGC57T170C

更新时间： 2024-10-26 21:15:55

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英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
5页	65K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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SIGC57T170C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SIGC57T170C 数据手册

SIGC57T170C

IGBT Chip in NPT-technology

Features:

Recommended for:

chip only



1700V NPT technology

280µm chip

positive temperature coefficient

easy paralleling

Qualified according to JEDEC for target

applications



Applications:



drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

SIGC57T170C

1700V

21A

7.6 x 7.6 mm²

sawn on foil

Mechanical Parameters

Die size

7.6 x 7.6

Emitter pad size (incl. gate pad)

Gate pad size

See chip drawing

1.606 x 0.806

57.8

mm²

Area total

Thickness

280

µm

Wafer size

150

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

244

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Backside metal

Die bond

Ni Ag –system

Electrically conductive epoxy glue and soft solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

 0.65mm ; max 1.2mm

for original and

sealed MBB bags

Ambient atmosphere air, Temperature 17°C – 25°C,

< 6 month

Storage environment

Acc. to IEC62258-3: Atmosphere >99% Nitrogen or inert gas,

Humidity <25%RH, Temperature 17°C – 25°C, < 6 month

for open MBB bags

Edited by INFINEON Technologies, IFAG IPC TD VLS, L7111M, Edition 1.2, 15.05.2013

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