是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.73 | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIGC61T60NC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology | |
SIGC68T170R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip | |
SIGC68T170R3E | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor | |
SIGC68T170R3EX1SA3 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor | |
SIGC6T120CS | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 2A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 | |
SIGC76T60R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip | |
SIGC76T60R3E | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术,为行业树 | |
SIGC76T65R3E | INFINEON |
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TRENCHSTOP™ IGBT 结合独特 TRENCHSTOP™ 和场终止技术,为行业树 | |
SIGC78T65R3E | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术,为行业树 | |
SIGC81T120R2C | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |