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SIGC81T60NCX1SA3

更新时间： 2024-10-27 08:33:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	66K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 8.99 X 8.99 MM, DIE-10

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SIGC81T60NCX1SA3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIE	包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N10
针数：	10	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
最大集电极电流 (IC)：	100 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	S-XUUC-N10
元件数量：	1	端子数量：	10
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	235 ns
标称接通时间 (ton)：	125 ns	Base Number Matches：	1

SIGC81T60NCX1SA3 数据手册

SIGC81T60NC

IGBT Chip in NPT-technology

FEATURES:

This chip is used for:

IGBT-Modules

600V NPT technology

100µm chip

short circuit prove

positive temperature coefficient

easy paralleling

Applications:

drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

Ordering Code

Q67041-A4694-

A001

SIGC81T60NC

600V 100A

8.99 x 8.99 mm²

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

mm²

Raster size

8.99 x 8.99

80.82 / 72.6

8x( 1.77x2.82 )

0.78 x 1.51

100

Area total / active

Emitter pad size

Gate pad size

Thickness

µm

deg

Wafer size

150

Flat position

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

169

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7462-M, Edition 2, 28.11.2003

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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