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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DIE | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUUC-N |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 610 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 135 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC57T120R3E | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC57T120R3L | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC57T120R3LE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| SIGC57T120R3LEX1SA3 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| SIGC57T120R3LEX1SA5 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| SIGC57T170C | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| SIGC61T60NC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC68T170R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
|
| SIGC68T170R3E | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| SIGC68T170R3EX1SA3 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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