Datasheet > 晶体管 > IGBT> SIGC57T120R3L

SIGC57T120R3L

更新时间： 2024-11-21 03:03:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
4页	71K
描述
IGBT3 Chip

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIGC57T120R3L 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	50 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUUC-N6	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	610 ns
标称接通时间 (ton)：	140 ns	Base Number Matches：	1

SIGC57T120R3L 数据手册

SIGC57T120R3L

IGBT³Chip

FEATURES:

This chip is used for:

· power module

1200V Trench + Field Stop technology

120µm chip

low turn-off losses

short tail current

positive temperature coefficient

easy paralleling

Applications:

drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

7.6 x 7.53 mm²

Package

Ordering Code

Q67050-

A4267-A101

SIGC57T120R3L 1200V 50A

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

7.6 x 7.53

6.08 x 6.05

1.14 x 1.14

57.2 / 42.8

120

Emitter pad size ( include gate pad )

Gate pad size

Area total / active

mm²

µm

Thickness

Wafer size

150

grd

Flat position

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

246 pcs

Photoimide

3200 nm AlSiCu

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L7661B, Edition 2, 04.09.03

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与SIGC57T120R3L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIGC57T120R3LE	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
SIGC57T120R3LEX1SA3	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
SIGC57T120R3LEX1SA5	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
SIGC57T170C	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
SIGC61T60NC	INFINEON	获取价格	IGBT Chip in NPT-technology
SIGC68T170R3	INFINEON	获取价格	IGBT3 Chip
SIGC68T170R3E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
SIGC68T170R3EX1SA3	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
SIGC6T120CS	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
SIGC76T60R3	INFINEON	获取价格	IGBT3 Chip