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SIGC42T170R3G_08

更新时间： 2024-11-18 12:20:03

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描述
1700V Trench Field Stop technology low turn-off losses short tail current

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SIGC42T170R3G_08 数据手册

SIGC42T170R3G

IGBT³Chip

FEATURES:

1700V Trench + Field Stop technology

low turn-off losses

short tail current

positive temperature coefficient

easy paralleling

This chip is used for:

· power module

Applications:

drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

6.5 x 6.46 mm²

Package

Ordering Code

Q67050-

A4261-A101

SIGC42T170R3G 1700V 29A

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

6.5 x 6.46

4.27 x 4.27

1.18 x 1.09

42 / 28.7

190

Emitter pad size

Gate pad size

Area total / active

Thickness

mm²

µm

Wafer size

150

grd

Flat position

180

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metalization

338 pcs

Photoimide

3200 nm AlSiCu

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metalization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L7751B, Edition 1, 08.01.04

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