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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DIE | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N1 |
| 针数： | 1 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.73 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 29 A | 集电极-发射极最大电压： | 1700 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.4 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUUC-N1 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1100 ns | 标称接通时间 (ton)： | 450 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC42T170R3G_08 | INFINEON |
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1700V Trench Field Stop technology low turn-off losses short tail current |
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| SIGC42T170R3GE | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC42T170R3GG | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC42T60NC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC42T60SNC | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC42T60UN | INFINEON |
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High Speed IGBT Chip in NPT-technology positive temperature coefficient easy paralleling |
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| SIGC54T60R3 | INFINEON |
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IGBT-3 Chip |
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| SIGC54T60R3_05 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT3 Chip |
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| SIGC54T60R3E | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC54T65R3E | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP™ IGBT 结合独特 TRENCHSTOP™ 和场终止技术，为行业树 |
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