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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIE | 包装说明： | 3.92 X 3.88 MM, DIE-2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.27 | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.7 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 382 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 50 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC15T60SE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| SIGC15T60SX1SA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.92 X 3.88 MM, DIE |
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| SIGC15T60UN | INFINEON |
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High Speed IGBT Chip in NPT-technology positive temperature coefficient |
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| SIGC15T65E | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| SIGC16T120C | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC16T120CL | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC16T120CS | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC185T170R2C | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC185T170R2CX1SA3 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, 13.56 X 13.56 MM, |
|
| SIGC185T350R2CH | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3500V V(BR)CES, N-Channel, DIE |
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