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SIDC30D120H8

更新时间： 2024-09-16 20:41:23

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描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, DIE-1

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SIDC30D120H8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	DIE-1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.69
应用：	FAST SOFT RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.97 V	JESD-30 代码：	S-XUUC-N1
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	1200 V
最大反向电流：	27 µA	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SIDC30D120H8 数据手册

SIDC30D120H8

Fast switching diode chip in Emitter Controlled -Technology

This chip is used for:

Features:

•

EUPEC power modules and

discrete devices

•

1200V Emitter Controlled technology

120 µm chip

soft, fast switching

low reverse recovery charge

small temperature coefficient

•

Applications:

SMPS, resonant applications,

•

drives

Chip Type

V_R

I_F

Die Size

Package

5.5 x 5.5 mm²

sawn on foil

SIDC30D120H8

1200V 50A

Mechanical Parameters

Raster size

5.5 x 5.5

30.25

mm²

Area total

Anode pad size

Thickness

4.78 x 4.78

120

µm

Wafer size

200

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

892

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, ≤500µm

Reject ink dot size

0.65mm ; max 1.2mm

Store in original container, in dry nitrogen, in dark

environment, < 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended storage environment

Edited by INFINEON Technologies, IMM PSD, L4057C, Edition 1.1, 08.07.10

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