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SIDC42D120H8

更新时间: 2024-11-06 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 快速恢复二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 117K
描述
发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术通过软恢复降低了 IGBT 的通电损耗,使发射极控制二极管非常适用于消费者和工业应用。发射极控制二极管针对英飞凌 IGBT 技术进行了优化。

SIDC42D120H8 数据手册

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SIDC42D120H8  
Fast switching emitter controlled 3 diode chip  
Features  
• VRRM = 1200 V  
• IFn = 75 A  
• 1200 V emitter controlled technology  
Soft fast switching  
• Low reverse recovery charge  
• Small temperature coefficienꢀ  
Potential applications  
• SMPS  
• Resonant applications  
• Drives  
Description  
Recommended for:  
• Power modules  
• Discrete devices  
Type  
Die size  
Delivery form  
SIDC42D120H8  
6.5 mm x 6.5 mm  
Sawn on foil  
Datasheet  
www.infineon.com  
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Revision 1.10  
2022-04-08  

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