是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIE |
包装说明: | S-XUUC-N1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.40 | 风险等级: | 5.82 |
应用: | FAST SOFT RECOVERY | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | S-XUUC-N1 | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 100 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 600 V | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIDC46D170H | INFINEON |
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Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology | |
SIDC46D170H_04 | INFINEON |
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Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology | |
SIDC50D60C6 | INFINEON |
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Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology | |
SIDC50D60C8 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 600V V(RRM), Silicon, DIE-1 | |
SIDC50D60C8X1SA2 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 600V V(RRM), Silicon, DIE-1 | |
SIDC50D65C8 | INFINEON |
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发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术通过软恢复降低了 I | |
SIDC53D120H6 | INFINEON |
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Fast switching diode chip in EMCON-Technology | |
SIDC53D120H6X1SA3 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1200V V(RRM), Silicon, 7.30 X 7.30 MM, DIE-1 | |
SIDC53D120H8 | INFINEON |
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发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术通过软恢复降低了 I | |
SIDC56D120E | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75A, 1200V V(RRM), Silicon, DIE |