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SIDC81D120F6

更新时间： 2024-11-09 03:32:03

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英飞凌 - INFINEON		二极管开关
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4页	66K
描述
Fast switching diode chip in EMCON-Technology

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SIDC81D120F6 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	DIE
包装说明：	9 X 9 MM, DIE-1	针数：	1
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.82
应用：	FAST SOFT RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-XUUC-N1	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	100 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

SIDC81D120F6 数据手册

Preliminary

SIDC81D120F6

Fast switching diode chip in EMCON-Technology

FEATURES:

This chip is used for:

EUPEC power modules and

discrete devices

1200V EMCON technology 120 µm chip

soft, fast switching

low reverse recovery charge

small temperature coefficient

Applications:

SMPS, resonant applications,

drives

Chip Type

V_R

I_F

Die Size

9 x 9 mm²

Package

Ordering Code

Q67050-A4187-

A001

SIDC81D120F6

1200V 100A

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

9 x 9

81 / 69.39

8.28 x 8.28

120

mm²

Area total / active

Anode pad size

Thickness

µm

deg

Wafer size

150

Flat position

180

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Anode metallisation

169 pcs

Photoimide

3200 nm AlSiCu

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Cathode metallisation

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 4205M, Edition 1, 8.01.2002

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