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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SIDC56D170E6
SIDC56D170E6 PDF预览

SIDC56D170E6

更新时间： 2024-09-16 03:32:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 整流二极管开关
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4页 69K
描述
Fast switching diode chip in EMCON-Technology

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SIDC56D170E6 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：DIE-1针数：1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.40风险等级：5.84
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：S-XUUC-N1
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：75 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1700 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SIDC56D170E6 数据手册

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Preliminary  
SIDC56D170E6  
Fast switching diode chip in EMCON-Technology  
A
FEATURES:  
This chip is used for:  
EUPEC power modules and  
discrete devices  
·
·
·
·
1700V EMCON technology 200 µm chip  
soft , fast switching  
low reverse recovery charge  
small temperature coefficient  
·
C
Applications:  
SMPS, resonant applications,  
drives  
·
Chip Type  
VR  
IF  
Die Size  
7.5 x 7.5mm2  
Package  
Ordering Code  
Q67050-A4120-  
A001  
SIDC56D170E6  
1700V 75A  
sawn on foil  
MECHANICAL PARAMETER:  
Raster size  
7.5 x 7.5  
56.25 / 40.07  
5.48 x 5.48  
200  
mm2  
Area total / active  
Anode pad size  
Thickness  
µm  
mm  
deg  
Wafer size  
150  
Flat position  
180  
Max. possible chips per wafer  
Passivation frontside  
Anode metalization  
248 pcs  
Photoimide  
3200 nm Al Si Cu  
1400 nm Ni Ag –system  
suitable for epoxy and soft solder die bonding  
Cathode metalization  
Die bond  
electrically conductive glue or solder  
Wire bond  
Al, £500µm  
Æ 0.65mm  
Reject Ink Dot Size  
store in original container, in dry nitrogen,  
< 6 month at an ambient temperature of 23°C  
Recommended Storage Environment  
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L4251M, Edition 1, 28.02.02  
1234

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SIDC56D170E6 替代型号

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