SIDC81D60E6

更新时间： 2024-11-21 03:32:03

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描述
Fast switching diode chip in EMCON-Technology

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SIDC81D60E6 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	DIE
包装说明：	S-XUUC-N1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	应用：	FAST SOFT RECOVERY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	S-XUUC-N1
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	200 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SIDC81D60E6 数据手册

Preliminary

SIDC81D60E6

Fast switching diode chip in EMCON-Technology

FEATURES:

This chip is used for:

EUPEC power modules and

discrete devices

600V EMCON technology 70 µm chip

soft , fast switching

low reverse recovery charge

small temperature coefficient

Applications:

SMPS, resonant applications,

drives

Chip Type

V_R

I_F

Die Size

9 x 9 mm²

Package

Ordering Code

Q67050-A4012-

A001

SIDC81D60E6

600V 200A

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

9 x 9

81 / 69.39

8.28 x 8.28

mm²

Area total / active

Anode pad size

Thickness

µm

deg

Wafer size

150

Flat position

180

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Anode metallisation

169 pcs

Photoimide

3200 nm AlSiCu

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Cathode metallisation

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 4203M, Edition 1, 8.01.2002

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