SIDC85D170H

更新时间： 2024-11-20 22:21:51

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描述
Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology

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SIDC85D170H 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIE	包装说明：	9.20 X 9.20 MM, DIE-1
针数：	1	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.40
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
应用：	FAST SOFT RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-XUUC-N1	最大非重复峰值正向电流：	740 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	150 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1700 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SIDC85D170H 数据手册

Preliminary

SIDC85D170H

Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology

FEATURES:

1700V EMCON 3 technology 200 µm chip This chip is used for:

soft, fast switching

EUPEC power modules

low reverse recovery charge

small temperature coefficient

Applications:

resonant applications, drives

Chip Type

V_R

I_F

Die Size

Package

Ordering Code

Q67050-A4178-

A001

9.2 x 9.2 mm²

sawn on foil

SIDC85D170H

1700V 150A

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

9.2 x 9.2

84.64 / 67.8

7.18 x 7.18

200

Area total / active

Anode pad size

Thickness

mm²

µm

deg

Wafer size

150

Flat position

180

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Anode metallization

160 pcs

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

Ni Ag –system

Cathode metallization

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 4491A, Edition 1, 22.10.2001

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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