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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIE-1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.40 | 风险等级： | 5.7 |
| 应用： | FAST SOFT RECOVERY | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.9 V | JESD-30 代码： | R-XUUC-N1 |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 200 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 最大反向电流： | 27 µA |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIDC50D60C8X1SA2 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 600V V(RRM), Silicon, DIE-1 |
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| SIDC50D65C8 | INFINEON |
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发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术通过软恢复降低了 I |
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| SIDC53D120H6 | INFINEON |
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Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
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| SIDC53D120H6X1SA3 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1200V V(RRM), Silicon, 7.30 X 7.30 MM, DIE-1 |
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| SIDC53D120H8 | INFINEON |
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发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术通过软恢复降低了 I |
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| SIDC56D120E | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75A, 1200V V(RRM), Silicon, DIE |
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| SIDC56D120E6 | INFINEON |
获取价格 |
Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
|
| SIDC56D120E6X1SA1 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75A, 1200V V(RRM), Silicon, 7.50 X 7.50 MM, DIE-1 |
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| SIDC56D120F6 | INFINEON |
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Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
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| SIDC56D170E | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75A, 1700V V(RRM), Silicon, DIE |
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