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SIDC30D120H8X1SA4

更新时间： 2024-11-05 21:21:35

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英飞凌 - INFINEON		软恢复二极管快速软恢复二极管
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5页	194K
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, DIE-1

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SIDC30D120H8X1SA4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	S-XUUC-N1	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.40
Factory Lead Time：	13 weeks	风险等级：	5.67
应用：	FAST SOFT RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-XUUC-N1	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	1200 V	最大反向电流：	27 µA
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SIDC30D120H8X1SA4 数据手册

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SIDC30D120H8

Fast switching diode chip in Emitter Controlled Technology

Features: Recommended for:



1200V Emitter Controlled technology

120 µm chip



Power modules and discrete

devices



Soft, fast switching

Low reverse recovery charge

Small temperature coefficient

Qualified according to JEDEC for target

applications

Applications:



SMPS, resonant applications,

drives

Chip Type

V_R

I_Fn

Die Size

Package

SIDC30D120H8 1200V 50A

5.5 x 5.5 mm²

sawn on foil

Mechanical Parameters

Die size

5.5 x 5.5

30.25

Area total

mm²

Anode pad size

Thickness

4.78 x 4.78

120

µm

Wafer size

200

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

891

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag – system

To achieve a reliable solder connection it is strongly

recommended not to consume the Ni layer completely during

production process

Backside metal

Die bond

Electrically conductive epoxy glue and soft solder

Al,  500 µm

Wire bond

Reject ink dot size

 0.65 mm; max 1.2 mm

for original and

Ambient atmosphere air, Temperature 17 °C – 25 °C,

sealed MBB bags

< 6 months

Storage environment

Acc. to IEC62258-3: Atmosphere > 99% Nitrogen or inert gas,

Humidity < 25% RH, Temperature 17 °C – 25 °C, < 6 months

for open MBB bags

Edited by INFINEON Technologies, L4057C, Rev 2.1, 14.10.2015

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIDC30D60E	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75A, 600V V(RRM), Silicon, DIE
SIDC30D60E6	INFINEON	获取价格	Fast switching diode chip in EMCON-Technology
SIDC30D60E6X1SA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75A, 600V V(RRM), Silicon, 5.5 X 5.5 MM, DIE-1
SIDC32D170H	INFINEON	获取价格	Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology
SIDC38D60C6	INFINEON	获取价格	Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology
SIDC38D60C8	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 600V V(RRM), Silicon, DIE-1
SIDC38D60C8X1SA2	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
SIDC38D65C8	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 650V V(RRM), Silicon, DIE-1
SIDC38D65C8X1SA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
SIDC42D120E	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 1200V V(RRM), Silicon, DIE

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