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SIDC38D60C8

更新时间： 2024-09-16 20:45:39

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英飞凌 - INFINEON		软恢复二极管快速软恢复二极管
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4页	44K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 600V V(RRM), Silicon, DIE-1

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SIDC38D60C8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	DIE-1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.7
应用：	FAST SOFT RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.9 V	JESD-30 代码：	R-XUUC-N1
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	150 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	27 µA
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SIDC38D60C8 数据手册

SIDC38D60C8

Fast switching diode chip in Emitter Controlled 3 -Technology

This chip is used for:

Features:

•

Power module

•

600V Emitter Controlled 3 technology

70 µm chip

•

soft, fast switching

low reverse recovery charge

small temperature coefficient

Applications:

•

Drives

Chip Type

V_R

I_F

Die Size

Package

4.9 x 7.8 mm²

sawn on foil

SIDC38D60C8

600V 150A

Mechanical Parameters

Raster size

4.9 x 7.8

mm²

Area total

38.22

4.28 x 7.18

Anode pad size

Thickness

µm

Wafer size

200

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

694

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, ≤500µm

Reject ink dot size

0.65mm; max 1.2mm

Store in original container, in dry nitrogen, in dark

environment, < 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended storage environment

Edited by INFINEON Technologies, IMM PSD, L4030M, Edition 1.2, 08.07.10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SIDC38D65C8	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 650V V(RRM), Silicon, DIE-1
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