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SIDC42D120F

更新时间： 2024-11-21 20:07:07

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英飞凌 - INFINEON		软恢复二极管快速软恢复二极管
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4页	63K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 1200V V(RRM), Silicon, DIE

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SIDC42D120F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	DIE	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.40
风险等级：	5.68	应用：	FAST SOFT RECOVERY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	S-XUUC-N
元件数量：	1	相数：	1
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	50 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

SIDC42D120F 数据手册

Preliminary

SIDC42D120F

Fast switching diode chip in EMCON-Technology

FEATURES:

This chip is used for:

EUPEC power modules and

discrete devices

1200V EMCON technology 120 µm chip

soft , fast switching

low reverse recovery charge

small temperature coefficient

Applications:

SMPS, resonant applications,

drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

Ordering Code

6.50 x 6.50 mm²

sawn on foil

tbd

SIDC42D120F

1200V 50A

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

6.50 x 6.50

42.25 / 33.99

5.08 x 5.08

120

Area total / active

Anode pad size

Thickness

mm²

µm

deg

Wafer size

125

Flat position

180

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Anode metalization

226

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Cathode metalization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £500µm

Reject Ink Dot Size

tbd

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON technologies AI IP DD HV2, L 4195E, Edition 1, 30.08.2000

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