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SiA811ADJ

更新时间： 2024-11-07 14:53:27
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威世 - VISHAY /
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12页 370K
描述
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SiA811ADJ 数据手册

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SiA811ADJ  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
• LITTLE FOOT® plus Schottky power MOSFET  
• New thermally enhanced PowerPAK®  
SC-70 package  
PowerPAK® SC-70-6L Dual with Schottky Diode  
K
G
5
6
S
4
K
- Small footprint area  
D
- Low on-resistance  
- Thin 0.75 mm profile  
1
2
NC  
A
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
3
D
1
Top View  
Bottom View  
Marking code: HD  
APPLICATIONS  
S
• Cellular charger switch  
K
PRODUCT SUMMARY  
MOSFET  
VDS (V)  
• Asynchronous DC/DC for  
portable devices  
-20  
0.116  
0.155  
0.205  
4.9  
G
• Load switch for portable  
devices  
R
DS(on) max. () at VGS = -4.5 V  
DS(on) max. () at VGS = -2.5 V  
R
RDS(on) max. () at VGS = -1.8 V  
Qg typ. (nC)  
D
A
I
D (A) a  
-4.5  
SCHOTTKY  
VKA (V)  
P-Channel MOSFET  
20  
0.45  
2
VF (V) at 1 A  
IF (A) a  
Configuration  
Dual plus integrated Schottky  
ORDERING INFORMATION  
Package  
PowerPAK SC-70  
Lead (Pb)-free and halogen-free  
SiA811ADJ-T1-GE3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
-20  
UNIT  
Drain-source voltage (MOSFET)  
Reverse voltage (Schottky)  
Gate-source voltage (MOSFET)  
VDS  
VKA  
20  
V
VGS  
8
T
C = 25 °C  
-4.5 a  
-4.5 a  
-3.2 b, c  
-2.6b, c  
-8  
-4.5 a  
-1.5 b, c  
2 b  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous drain current (TJ = 150 °C) (MOSFET)  
Pulsed drain current (MOSFET)  
ID  
IDM  
IS  
A
TC = 25 °C  
Continuous source-drain diode current   
(MOSFET diode conduction)  
TA = 25 °C  
Average forward current (Schottky)  
Pulsed forward current (Schottky)  
IF  
IFM  
5
TC = 25 °C  
6.5  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TC = 25 °C  
4.2  
Maximum power dissipation (MOSFET)  
Maximum power dissipation (Schottky)  
1.8 b, c  
1.1 b, c  
6.8  
PD  
W
TC = 70 °C  
4.3  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.6 b, c  
1 b, c  
-55 to +150  
260  
Operating junction and storage temperature range  
Soldering recommendations (peak temperature) d, e  
TJ, Tstg  
°C  
S-82482-Rev. A, 13-Oct-08  
Document Number: 68955  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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