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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 1.26 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级（Eas）： | 125 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.011 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XDSO-C5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 5.2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI7380ADP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7380ADP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 31 A, 30 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, |
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| SI7380ADP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 31 A, 30 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, |
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| SI7380DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7380DP-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 18 A, 30 V, 0.00325 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gene |
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| SI7380DP-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.00325ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| SI7382DP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-CH REDUCED QG, FAST SWITCHING WFET - Tape and Reel |
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| SI7384DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
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| SI7384DP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 11 A, 30 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, |
|
| SI7384DP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-CH REDUCED QC, FAST SWITCHING MOSFET - Tape and Reel |
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