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SI4501ADY-T1-GE3

更新时间： 2024-02-20 22:59:40

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威世 - VISHAY		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	273K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, MS-012, SOIC-8

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SI4501ADY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.3 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI4501ADY-T1-GE3 数据手册

Si4501ADY

Vishay Siliconix

Complementary (N- and P-Channel) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

8.8

0.018 at V_GS= 10 V

0.027 at V_GS= 4.5 V

0.042 at V_GS= - 4.5 V

0.060 at V_GS= - 2.5 V

•

TrenchFET^®Power MOSFET

N-Channel

P-Channel

- 8

7.0

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

- 5.7

- 4.8

APPLICATIONS

•

Level Shift

•

Load Switch

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4501ADY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si4501ADY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

N-Channel

P-Channel

Steady State

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

10 s

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

- 8

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

8.8

6.3

5.2

- 5.7

- 4.5

- 4.1

- 3.3

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^{a, b}

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

- 30

Continuous Source Current (Diode Conduction)^{a, b}

T_A= 25 °C

_A= 70 °C

1.8

2.5

1.6

1.0

1.3

0.84

- 1.8

2.5

- 1.0

1.3

Maximum Power Dissipation^{a, b}

P_D

1.6

0.84

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

N-Channel

P-Channel

Parameter

Symbol

Typ.

Max.

Typ.

Max.

Unit

t ≤ 10 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

Steady State

°C/W

R_thJF

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes:

a. Surface Mounted on FR4 board.

b. t ≤ 10 s.

Document Number: 71922

S09-0868-Rev. D, 18-May-09

www.vishay.com

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