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SI4501DY

更新时间： 2024-02-07 08:14:44

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威世 - VISHAY		/
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7页	60K
描述
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)

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SI4501DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

SI4501DY 数据手册

Si4501DY

Vishay Siliconix

New Product

Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)

(ꢀ )

I_D(A)

0.018 @ V = 10 V

N-Channel

P-Channel

0.027 @ V = 4.5 V

"7.4

"6.2

"5.2

0.042 @ V = -4.5 V

-8

0.060 @ V = -2.5 V

SO-8

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

N-Channel

P-Channel

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

-8

= 25_C

= 70_C

"6.2

"5.0

"20

-1.7

Continuous Drain Current (T = 150_C)

"7.4

"30

1.7

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

= 25_C

= 70_C

2.5

1.6

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

N-Channel

P- Channel

Typ

Max

Typ

Max

Parameter

Symbol

Unit

t v 10 sec

Steady-State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

_C/W

Maximum Junction-to-Foot

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t v 10 sec

Document Number: 70934

S-61812—Rev. B, 19-Jul-99

www.vishay.com

2-1

12 3 4 5 6 7

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