是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.87 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6.2 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 3 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4482DY | VISHAY |
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N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | |
SI4482DY-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
SI4482DY-T1 | VISHAY |
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N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | |
SI4483ADY | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4483ADY-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SI4483EDY | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4483EDY_RC | VISHAY |
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R-C Thermal Model Parameters | |
SI4483EDY-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4484EY | VISHAY |
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N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | |
SI4484EY_06 | VISHAY |
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N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |