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SI4480EY-T1

更新时间： 2024-10-25 22:07:23

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威世 - VISHAY		/
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4页	49K
描述
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET

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SI4480EY-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.87	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.2 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI4480EY-T1 数据手册

Si4480EY

Vishay Siliconix

N-Channel 80-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.035 @ V = 10 V

6.2

5.8

0.040 @ V = 6.0 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4480EY

Si4480EY-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

6.2

= 25_C

= 70_C

a, b

Continuous Drain Current (T = 175_C)

5.2

Pulsed Drain Current

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.5

= 25_C

= 70_C

a, b

Maximum Power Dissipation

2.1

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

100

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJL

_C/W

Maximum Junction-to-Lead

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

b. t v 10 sec.

Document Number: 71060

S-03951—Rev. B, 26-May-03

www.vishay.com

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