5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3.8 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4487DY | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
|
| SI4487DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| SI4488DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4488DY_06 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4488DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SI4488DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4488DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 3500 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET |
|
| SI4488DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 3500 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP |
|
| SI4490DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4490DY (KI4490DY) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
