SI4490DY

更新时间： 2024-01-17 00:45:45

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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描述
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET

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SI4490DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.85 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI4490DY 数据手册

Si4490DY

Vishay Siliconix

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.080 @ V = 10 V

4.0

3.8

200

0.090 @ V = 6.0 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4490DY

Si4490DY-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

200

"20

= 25_C

= 70_C

4.0

3.2

2.85

2.3

Continuous Drain Current (T = 150__C)

Pulsed Drain Current

Avalanch Current

L = 0.1 mH

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.6

3.1

2.0

1.3

1.56

1.0

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71341

S-03951—Rev. B, 26-May-03

www.vishay.com

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