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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4500BDY-T1-GE3
SI4500BDY-T1-GE3 PDF预览

SI4500BDY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-20 09:26:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 278K
描述
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)

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SI4500BDY-T1-GE3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75Is Samacsys：N
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.6 A最大漏极电流 (ID)：6.6 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4500BDY-T1-GE3 数据手册

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Si4500BDY  
Vishay Siliconix  
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
9.1  
0.020 at VGS = 4.5 V  
0.030 at VGS = 2.5 V  
0.060 at VGS = - 4.5 V  
0.100 at VGS = - 2.5 V  
• TrenchFET® Power MOSFET  
N-Channel  
P-Channel  
20  
7.5  
•
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 5.3  
- 4.1  
- 20  
S
2
SO-8  
G
G
2
S
G
S
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
D
G
1
Top View  
Ordering Information: Si4500BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4500BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
N-Channel  
P-Channel  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Unit  
10 s  
Steady State  
10 s  
Steady State  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
- 20  
12  
V
VGS  
12  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
9.1  
7.3  
6.6  
5.3  
30  
- 5.3  
- 4.9  
- 3.8  
- 3.1  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a,b  
ID  
T
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 20  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a,b  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.1  
2.5  
1.6  
1.1  
1.3  
0.8  
- 2.1  
2.5  
- 1.1  
1.3  
Maximum Power Dissipationa,b  
PD  
W
1.6  
0.8  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
N-Channel  
P-Channel  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Unit  
Typ.  
40  
Max.  
50  
Typ.  
41  
Max.  
50  
t ≤ 10 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Steady State  
Steady State  
75  
95  
75  
95  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
20  
22  
23  
26  
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board.  
b. t ≤ 10 s.  
Document Number: 72281  
S09-0705-Rev. D, 27-Apr-09  
www.vishay.com  
1
1234567...12

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SI4500BDY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4500BDY-T1-E3 VISHAY

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 Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4500DY VISHAY

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SI4500DY-T1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI4500DY-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI4501ADY VISHAY

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 		Si4501ADY vs. Si4501DY
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
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