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SI4496DY

更新时间： 2024-02-15 08:17:14

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R - C Thermal Model Parameters

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SI4496DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.92	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

SI4496DY 数据手册

Si4496DY_RC

Vishay Siliconix

R-C Thermal Model Parameters

DESCRIPTION

The parametric values in the R-C thermal model have

been derived using curve-fitting techniques. These

techniques are described in "A Simple Method of

Generating Thermal Models for a Power MOSFET"[1].

When implemented in P-Spice, these values have

matching characteristic curves to the Single Pulse

Transient Thermal Impedance curves for the

MOSFET.

R-C values for the electrical circuit in the Foster/Tank

and Cauer/Filter configurations are included.

Note:

For a detailed explanation of implementing these values in

P-SPICE, refer to Application Note AN609 Thermal Simulations Of

Power MOSFETs on P-SPICE Platform.

R-C THERMAL MODEL FOR TANK CONFIGURATION

R-C VALUES FOR TANK CONFIGURATION

Thermal Resistance (°C/W)

Junction to

RT1

Ambient

2.3490

Case

N/A

Foot

250.9288 m

6.7329

RT2

29.5589

32.0670

26.1202

RT3

9.1880

RT4

1.7701

Thermal Capacitance (Joules/°C)

Junction to

CT1

Ambient

1.1969 m

32.0544 m

1.4071

Case

N/A

Foot

563.0696 µ

13.6449 m

174.2752 m

4.8071 m

CT2

CT3

CT4

3.6901

This document is intended as a SPICE modeling guideline and does not constitute a commercial product data sheet. Designers should refer to the appropriate data

sheet of the same number for guaranteed specification limits.

Document Number: 74109

Revision 02-Sep-05

www.vishay.com

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