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SI4496DY-T1

更新时间： 2024-11-20 20:02:31

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	82K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI4496DY-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI4496DY-T1 数据手册

Si4496DY

Vishay Siliconix

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFET

D Low Gate Charge

PRODUCT SUMMARY

D 100% R_gTested

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.025 @ V = 10 V

7.7

6.9

D Primary Side Switch

100

0.031 @ V = 6.0 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4496DY

Si4496DY-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

100

"20

= 25_C

= 70_C

7.7

6.2

4.6

4.1

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Single Avalanch Current

L = 0.1 mH

Single Avalanch Energy

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.6

3.1

2.0

1.2

1.4

0.9

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 70685

S-31726—Rev. D, 18-Aug-03

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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