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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.73 |
| Samacsys Description： | MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 36 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0033 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI44XX | SILICON |
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| SI-45002 | BEL |
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SI-45002 |
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| SI4500BDY | VISHAY |
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Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
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| SI4500BDY_06 | VISHAY |
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Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
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| SI4500BDY_09 | VISHAY |
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Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
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| SI4500BDY-E3 | VISHAY |
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Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
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| SI4500BDY-T1 | VISHAY |
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Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
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| SI4500BDY-T1-E3 | VISHAY |
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Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
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| SI4500BDY-T1-GE3 | VISHAY |
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Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
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| SI4500DY | VISHAY |
获取价格 |
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
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