是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.2 | 配置: | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (ID): | 7 A |
最大漏源导通电阻: | 0.03 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4501ADY | VISHAY |
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Si4501ADY vs. Si4501DY | |
SI4501ADY-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, | |
SI4501ADY-T1 | VISHAY |
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Transistor, | |
SI4501ADY-T1-E3 | VISHAY |
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MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC | |
SI4501ADY-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Me | |
SI4501BDY | VISHAY |
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Complementary (N- and P-Channel) MOSFET | |
SI4501BDY-T1-GE3 | VISHAY |
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Complementary (N- and P-Channel) MOSFET | |
SI4501DY | VISHAY |
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Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) | |
SI4503DY | VISHAY |
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N- and P-Channel MOSFET | |
SI4505DY | VISHAY |
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N- and P-Channel MOSFET |