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SI4488DY-E3

更新时间： 2024-11-20 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 68K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI4488DY-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.1 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

SI4488DY-E3 数据手册

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Si4488DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
150  
0.050 @ V = 10 V  
5.0  
GS  
D
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4488DY  
Si4488DY-T1 (with Tape and Reel)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
150  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
5.0  
4.0  
3.5  
2.8  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
A
Pulsed Drain Current  
I
50  
25  
DM  
Avalanch Current  
L = 0.1 mH  
I
AS  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
2.8  
3.1  
2.0  
1.4  
1.56  
1.0  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
33  
65  
17  
40  
80  
21  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71240  
www.vishay.com  
S-03951—Rev. B, 26-May-03  
1
123456

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SI4488DY-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4488DY-T1-E3 VISHAY

类似代替

 TRANSISTOR 3500 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET
SI4488DY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 TRANSISTOR 3500 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP

与SI4488DY-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4488DY-T1 VISHAY

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 		N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI4488DY-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 3500 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET
SI4488DY-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 3500 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SI4490DY VISHAY

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SI4490DY_06 VISHAY

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