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SI4482DY-T1

更新时间: 2024-11-19 22:11:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

SI4482DY-T1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.86Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):4.6 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2.5 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

SI4482DY-T1 数据手册

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Si4482DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.060 @ V = 10 V  
4.6  
4.0  
GS  
100  
0.080 @ V = 6 V  
GS  
D
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4482DY  
Si4482DY-T1 (with Tape and Reel)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
100  
"20  
4.6  
DS  
GS  
V
V
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
3.7  
A
Pulsed Drain Current  
I
40  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
2.1  
T
= 25_C  
= 70_C  
2.5  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
T
A
1.6  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
50  
_C/W  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.  
Document Number: 70749  
S-03951—Rev. B, 26-May-03  
www.vishay.com  
2-1  
 

SI4482DY-T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4482DY VISHAY

完全替代

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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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