SI4482DY-T1

更新时间： 2024-10-25 22:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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4页	43K
描述
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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SI4482DY-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI4482DY-T1 数据手册

Si4482DY

Vishay Siliconix

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.060 @ V = 10 V

4.6

4.0

100

0.080 @ V = 6 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4482DY

Si4482DY-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

100

"20

4.6

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

3.7

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.1

= 25_C

= 70_C

2.5

Maximum Power Dissipation

1.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 70749

S-03951—Rev. B, 26-May-03

www.vishay.com

2-1

12 3 4

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SI4482DY-T1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI4482DY	VISHAY	完全替代	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI4100DY-T1-E3	VISHAY	功能相似	Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SI4483EDY	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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