是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.89 | Is Samacsys: | N |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.4 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e0 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 3.8 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
SI4486EY-T1-E3 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
获取价格 |
|
SI4486EY-T1-GE3 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
获取价格 |
|
SI4487DY | VISHAY | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
获取价格 |
|
SI4487DY-T1-GE3 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
获取价格 |
|
SI4488DY | VISHAY | N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
获取价格 |
|
SI4488DY_06 | VISHAY | N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
获取价格 |