SI4486EY-T1

更新时间： 2024-11-23 22:20:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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4页	48K
描述
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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SI4486EY-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.4 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.8 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI4486EY-T1 数据手册

Si4486EY

Vishay Siliconix

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.025 @ V = 10 V

7.9

7.5

100

0.028 @ V = 6.0 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4486EY

Si4486EY-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

100

"20

= 25_C

= 85_C

7.9

6.1

5.4

4.2

Continuous Drain Current (T = 175_C)

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

L = 0.1 mH

Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle v1%)

Continuous Source Current (Diode Conduction)

3.1

3.8

2.3

1.5

1.8

1.1

= 25_C

= 85_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71234

www.vishay.com

S-03951—Rev. B, 26-May-03

2-1

12 3 4

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