5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4483ADY-T1-GE3
SI4483ADY-T1-GE3 PDF预览

SI4483ADY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-20 12:46:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 236K
描述
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI4483ADY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
风险等级：3.83Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4483ADY-T1-GE3 数据手册

 浏览型号SI4483ADY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4483ADY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4483ADY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4483ADY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4483ADY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4483ADY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第7页 
Si4483ADY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)d  
- 19.2  
- 14.6  
Qg (Typ.)  
Definition  
0.0088 at VGS = - 10 V  
0.0153 at VGS = - 4.5 V  
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
- 30  
44.8 nC  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
Adaptor Switch  
S
SO-8  
•
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
G
D
D
Top View  
D
Ordering Information: Si4483ADY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
25  
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
- 19.2  
- 15.4  
- 13.5a, b  
- 10.9a, b  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
- 70  
Pulsed Drain Current  
- 4.9  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
- 2.4a, b  
20  
TA = 25 °C  
IAS  
Avalanche Current  
L = 0.1 mH  
EAS  
Single-Pulse Avalanche Energy  
20  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
5.9  
3.8  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.9a, b  
1.9a, b  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
Symbol  
Typical  
33  
Maximum  
Unit  
RthJA  
RthJF  
t 10 s  
Steady State  
42  
21  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot  
16  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. Maximum under steady state conditions is 85 °C/W.  
d. Based on TC = 25 °C.  
Document Number: 68982  
S10-2543-Rev. B, 08-Nov-10  
www.vishay.com  
1
1234567...11

中文翻译

下载PDF

SI4483ADY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF9321PBF INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET

与SI4483ADY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4483EDY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4483EDY_RC VISHAY

获取价格

 		R-C Thermal Model Parameters
SI4483EDY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4484EY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI4484EY_06 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI4484EY-T1 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI4484EY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4485DY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI4486EY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI4486EY_06 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

与SI4483ADY-T1-GE3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证