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SI4483ADY-T1-GE3

更新时间： 2024-01-12 10:24:45

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	236K
描述
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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SI4483ADY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	3.83	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI4483ADY-T1-GE3 数据手册

Si4483ADY

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)

= 10 V thru 5 V

= 4 V

= 25 °C

= 125 °C

= - 55 °C

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

- Drain-to-Source Voltage (V)

- Gate-to-Source Voltage (V)

Output Characteristics

Transfer Characteristics

0.030

0.024

0.018

0.012

0.006

6000

4800

3600

2400

1200

iss

= 4.5 V

= 10 V

oss

rss

- Drain Current (A)

- Drain-to-Source Voltage (V)

On-Resistance vs. Drain Current

Capacitance

1.8

1.5

1.2

0.9

0.6

= 10 A

= 10 V

= 15 V

= 4.5 V

= 20 V

- 50 - 25

100 125 150

100

- Junction Temperature (°C)

- Total Gate Charge (nC)

On-Resistance vs. Junction Temperature

Gate Charge

Document Number: 68982

S10-2543-Rev. B, 08-Nov-10

www.vishay.com

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