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SI4486EY

更新时间： 2024-10-25 22:43:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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SI4486EY 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.4 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.8 W
子类别：FET General Purpose PowerBase Number Matches：1

SI4486EY 数据手册

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Si4486EY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.025 @ V = 10 V  
7.9  
7.5  
GS  
100  
0.028 @ V = 6.0 V  
GS  
D
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4486EY  
Si4486EY-T1 (with Tape and Reel)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
100  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 85_C  
7.9  
6.1  
5.4  
4.2  
A
a
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
40  
30  
45  
DM  
Avalanche Current  
I
AR  
L = 0.1 mH  
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle v1%)  
E
AR  
mJ  
A
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
3.1  
3.8  
2.3  
1.5  
1.8  
1.1  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 175  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
33  
70  
17  
40  
85  
21  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71234  
www.vishay.com  
S-03951—Rev. B, 26-May-03  
2-1  
 
1234

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SI4486EY 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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