是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.83 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.8 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最高工作温度: | 175 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 3.8 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI4102DY-T1-GE3 | VISHAY |
类似代替 |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET | |
IRF7853PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4485DY | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SI4486EY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | |
SI4486EY_06 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | |
SI4486EY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | |
SI4486EY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
SI4486EY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
SI4487DY | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SI4487DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
SI4488DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET | |
SI4488DY_06 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |