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SI4100DY-T1-E3 PDF预览

SI4100DY-T1-E3

更新时间： 2024-11-20 20:58:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 179K
描述
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4100DY-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
雪崩能效等级（Eas）：18 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.8 A
最大漏极电流 (ID)：4.4 A最大漏源导通电阻：0.063 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4100DY-T1-E3 数据手册

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Si4100DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)d  
6.8  
Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % UIS Tested  
0.063 at VGS = 10 V  
0.084 at VGS = 6 V  
•
•
100  
9 nC  
5.8  
APPLICATIONS  
•
•
High Frequency Boost Converter  
LED Backlight for LCD TV  
SO-8  
D
D
D
D
S
S
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
G
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4100DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4100DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
100  
20  
Unit  
V
6.8  
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
5.4  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
4.4a, b  
3.5a, b  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
T
5
Continuous Source-Drain Diode Current  
2.1a, b  
A = 25 °C  
IAS  
EAS  
Single Avalanche Current  
Single Avalanche Energy  
19  
18  
6
L = 0.1 mH  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.8  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.5a, b  
1.6a, b  
- 55 to 150  
TJ, Tstg  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
37  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, c  
t ≤ 10 s  
Steady State  
50  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
17  
21  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.  
d. TC = 25 °C.  
Document Number: 69251  
S09-0220-Rev. B, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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与SI4100DY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4100DY-T1-GE3 VISHAY

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 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI4102DY-T1-GE3 VISHAY

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 		N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
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 		P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
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 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
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