5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4102DY-T1-GE3
SI4102DY-T1-GE3 PDF预览

SI4102DY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-11 12:28:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
10页 246K
描述
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI4102DY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：7.82
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：184118Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：8-Pin Narrow SOICSamacsys Released Date：2015-04-13 16:59:06
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.8 A
最大漏极电流 (ID)：0.0027 A最大漏源导通电阻：0.158 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：4.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4102DY-T1-GE3 数据手册

 浏览型号SI4102DY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4102DY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4102DY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4102DY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4102DY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4102DY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第7页 
Si4102DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % UIS Tested  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
VDS (V)  
RDS(on) ()  
Qg (Typ.)  
I
D (A)d  
3.8  
Material categorization:  
0.158 at VGS = 10 V  
0.175 at VGS = 6 V  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
100  
4.6 nC  
3.6  
APPLICATIONS  
•
High Frequency Boost Converter  
•
LED Backlight for LCD TV  
SO-8  
D
D
D
D
D
S
1
2
3
4
8
7
6
5
S
S
G
G
Top View  
S
N-Channel MOSFET  
Ordering Information:  
Si4102DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
100  
20  
Unit  
V
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.8  
3
2.7a, b  
2.1a, b  
8
4
2a, b  
6
1.8  
4.8  
3
ID  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IAS  
EAS  
A
mJ  
Single Avalanche Current  
Single Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
2.4a, b  
1.5a, b  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
t 10 s  
Steady State  
RthJA  
RthJF  
42  
53  
°C/W  
21  
26  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. Maximum under steady state conditions is 85 °C/W.  
d. Based on TC = 25 °C.  
Document Number: 69252  
S13-0631-Rev. C, 25-Mar-13  
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
This document is subject to change without notice.  
www.vishay.com  
1
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与SI4102DY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
Si4103DY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI4104DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI4104DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI4108DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 75-V (D-S) MOSFET
SI4110DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI4110DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI4112 SILICON

获取价格

 		DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4112-BM ETC

获取价格

 		DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4112-BT ETC

获取价格

 		DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4112-D-GM SILICON

获取价格

 		DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS

与SI4102DY-T1-GE3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证